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今日，佳能中国宣布，佳能产日本首台半导体光刻机 PPC-1 发售 50 周年。佳能 PPC-1 于 1970 年发售，随着数字技术的迅速发展，佳能的半导体光刻机也在不断升级。
首台日本产半导体光刻机 PPC-1
据悉，佳能光刻机的历史始于对相机镜头技术的高度应用。灵活运用 20 世纪 60 年代中期在相机镜头开发中积累的技术，佳能研发出了用于光掩膜制造的高分辨率镜头。
此后，为了进一步扩大业务范围，佳能开始了半导体光刻机的研发，并于 1970 年成功发售日本首台半导体光刻机 PPC-1，正式进入半导体光刻机领域。
佳能于 1975 年发售的 FPA-141F 光刻机在世界上首次实现了 1 微米（00 万分之一米）以下的曝光，此项技术作为“重要科学技术历史资料（未来技术遗产）”，于 2010 年被日本国立科学博物馆产业技术历史资料信息中心收录。
目前佳能的光刻机阵容包括i线光刻机和 KrF 光刻机产品线。其中，i线光刻机是指使用i线（水银灯波长 365nm）光源的半导体光刻机。而 KrF 光刻机是指使用波长 248nm，由氪（Kr）气体和氟（F）气体产生的激光的半导体光刻机。
佳能表示，今后将继续扩充半导体光刻机的产品阵容和可选功能，以支持各种尺寸和材料的晶圆以及下一代封装工艺。
此外，在尖端领域为满足电路图案进一步微细化的需求，佳能也在致力于推进纳米压印半导体制造设备※7 的研发，并使之能应用于大规模生产。
何为半导体光刻机？
半导体光刻机在半导体器件的制造过程中，承担“曝光”的作用。半导体器件是通过将精细电路图案曝光在称为晶圆的半导体基板上而制成的。半导体光刻机设备的作用是将在掩膜版上绘制的电路图案通过投影透镜缩小，再将图案曝光在晶圆上。
晶圆在晶圆台上依次移动，电路图案将在一个晶圆上重复曝光。因为电路是由从微米到纳米级别的超精细图案经过多层堆叠制成，所以半导体光刻机也需具备超高精密的技术，以满足从微米到纳米单位级别的性能。
以下为半导体器件制造工艺：
1、制作掩膜版（原版）
设计决定半导体芯片功能和性能的电路。电路图案绘制在数十块玻璃板上。
2、准备晶圆
准备半导体器件基础的圆盘形晶圆。加热后在表面形成氧化膜，然后涂上光阻（感光剂）。
3、在晶圆上绘制电路图案
①光照在掩膜版上，将电路图案曝光在晶圆上。光通过透镜缩小，可以画出更细的线。电路的线宽越细，一个半导体器件上可集成的半导体元件数量就越多，从而可以获得高性能且多功能的半导体器件。（使用光刻机）
曝光的原理图
光照到部分的光阻发生变化后。使用显影液将曝光部分去除。
②光阻覆盖部分以外的氧化膜通过与气体反应去除。
③在去除不需要的光阻后，在裸露的晶圆上，通过注入离子使晶体管有效工作，由此来制造半导体元件。
④用绝缘膜覆盖整个晶圆后，将表面弄平整确保没有凹凸。随后涂上光阻，准备下一层电路图案的曝光。
重复①～④的工艺，在晶圆表面形成多个层，然后通过布线连接。
4、从晶圆上切下半导体芯片
5、将芯片粘在框架上，接上电线检查工程后半导体器件制作完成
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