三星exynos4412和高通msm8960哪个antutu跑分高?三星的32nmhkmg和台积电的28nmlp那种工艺更省电?

author author     2023-03-21     570

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第一,exynos4412目前根本就还没公开,也没有任何跑分,包括antutu跑分,根本就不可能比较。
第二,hkmg是指high k metal gate,高k金属栅栏技术,是指晶体管制作工艺,只有gate firest和gate last的区别。lp是指lower power 低功耗,对应的是gp grand power高能耗,指的是芯片的大功率还是小功率。hkmg和lp两个根本就不搭界,互相不冲突。两个都是hkmg和lp,hkmg更省电。一般而言的话,节点制程越小,漏电越难控制,但能容纳的晶体管越多。hkmg虽然所需电流大,但漏电情况比poly/sion易控制,效率更高。
从工艺发展看,poly/Sion 最终还是要被hkmg取代。
目前的技术在28nm的hkmg存在成品率不高的情况。
中联电的具体情况不清楚。
参考技术A 第一,exynos4412目前根本就还没公开,也没有任何跑分,包括antutu跑分,根本就不可能比较。
第二,hkmg是指high k metal gate,高k金属栅栏技术,是指晶体管制作工艺,只有gate firest和gate last的区别。lp是指lower power 低功耗,对应的是gp grand power高能耗,指的是芯片的大功率还是小功率。hkmg和lp两个根本就不搭界,互相不冲突。两个都是hkmg和lp,有区别么??追问

你说得很对,LP和HKMG不是一个类型的概念。高通的S4系列和TI的OMAP5系列从已知资料上看,分别使用TMSC和UMC两家的PLOY/SiON栅极28nm工艺。其实是想问,更窄的栅极间距VS HKMG,那种更省电?

追答

hkmg更省电。一般而言的话,节点制程越小,漏电越难控制,但能容纳的晶体管越多。hkmg虽然所需电流大,但漏电情况比poly/sion易控制,效率更高。
从工艺发展看,poly/Sion 最终还是要被hkmg取代。
目前的技术在28nm的hkmg存在成品率不高的情况。
中联电的具体情况不清楚。

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